开关电源技术发展和十大关注焦点

1998年，Infineon公司推出冷mo管，采用“超级结”Super-Junct结构，故又称超结功率MOSFET工作电压600V800V通态电阻几乎降低了一个数量级，仍坚持开关速度快的特点，一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V25A 很长一段时间内，耐压水平限于1200V1700V经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A 和4500V/1800A 高压IGBT单片耐压已达到6500V一般IGBT工作频率上限为20kHz40kHz基于穿通(PT型结构应用新技术制造的IGBT可工作于150kHz硬开关)和300kHz软开关)

IGBT技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT型、非穿通(NPT型、软穿通(SPT型、沟漕型和电场截止(FS型。

碳化硅Sic功率半导体器件晶片的理想资料，其优点是禁带宽、工作温度高(可达600℃)热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。www.ktbcharger.com